Intel va produire avant la fin de l’année des mémoires à changement de phase (PRAM)

4100_phasechange90nm.jpgMême s'il vous arrive beaucoup trop souvent de passer les notes obscures que nous livrons parfois sur le monde IT, celle-ci vaut le coup. En début de semaine passée, Intel a annoncé ses intentions de lancer la production de masse de ses mémoires à changement de phase (PCM ou PRAM) avant la fin de l'année.
Et kek j'en ai à fout, moi ke jveu juste une clé USB? Réponse d'Intel:
"La mémoire à changement de phase n'est pas loin du Nirvana..."

La PRAM c'est l'Elue dans ce monde volatile, où la méchante mémoire flash a envahi nos maisons. Parce que la mémoire Flash repose sur le principe de capturer et relâcher des électrons pour stocker l'information. Ce procesus prend d'interminables 10 nanosecondes, mais plus important, limite le nombre de cycles écriture/lecture.

Par contre la technologie PRAM repose sur des principes chimiques, changeant une substance comme le chalcogénure de son état solide à un état liquide et en mesurant cet état (un principe utilisé en cristalographie). Non seulement ce procesus prend moins de 5ns, mais il supporte 100 millions de cycles d’écriture. De plus, Intel rapporte que leurs modèles tests ont 10 ans de stockage de données à 85 degrés, largement assez pour stocker vos images de Q.

Malheureusement, il semblerait qu’Intel prévoit d’en faire de la RAM, et non un support de stockage de données. Nif. Nous on veut des disques durs liquides. Tout de suite!

Intel produira sa mémoire PRAM dès le mois de juin [PC INpact]

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