Samsung lance la machine de production de NAND 16 Gbits

flash-gordon-a.jpgLe rouleau compresseur industriel qu'est Samsung a débuté la production en masse de puces flash de 16 Gbits (ou 2 Go). La plus grande capacité jamais atteinte sur ce support arrive juste à temps pour nourrir le T-Rex de Cupertino.

Selon Samsung, la petite merveille en 51 nanomètres affiche 30Mo/s en vitesse de transfert et un code de correction d'erreur sur 4 bits. Un support logiciel est prévu pour la nouvelle structure de page de 4Ko et Samsung pense que "la demande de mémoire 16Gb NAND flash devrait s'accroître rapidement, appuyant le déploiement de cette nouvelle puce sur le marché de la grande consommation d'ici la fin de l'année". Après avoir consulté mon livre "La kabbale pour les nuls" et ma "boule de cristal Pif gadget", le message secret caché derrière ces mots serait bien que l'on s'attende à voir apparaître un iPhone SSD au MacWorld 2008 de San Francisco.

La gravure MLC (cellule multi-niveaux, en opposition à la technologie SLC, cellule simple niveau) permettra de voir apparaître des cartes mémoire de 16 Go. La gravure en 51 nm permet de gagner 60% en consommation par rapport à la gravure en 60 nm, précise encore Samsung.

Samsung annonce la mémoire flash NAND MLC 51nm [laptopspirit]

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