La mémoire à changement de phase : c’est pour bientôt

La mémoire à changement de phase (PRAM, ou PCM pour Phase Change Memory) est en développement dans les labos depuis les années 1960. Elle sera bientôt prête pour les masses que nous sommes, et est déjà surnommée la nouvelle mémoire flash.

Intel et STMicroelectronics espère mettre au point une première plateforme dès cette année, en petites quantités dans un premier temps. Et ça changera quoi? En deux mots, la mémoire PCM est bien plus puissante et plus résistante que la mémoire flash actuelle. Découvrez les chiffres après le saut.

Les PCM ne souffrent pas de la comparaison avec les mémoires flash traditionnelles. Bien au contraire. Les PCM sont approximativement 100.000 fois plus rapide, avec une vitesse d’écriture qui descend de 1ms à 10ns/octet.

La mémoire flash flanche après environ 100.000 écritures/secteur, alors que la PCM encaissera 100.000.000 d’écritures/secteur avant de flancher à son tour.

Evidemment il y a aussi des inconvénients ; d’abord la méthode de production, très gourmande en énergie. Ensuite l’écriture de données qui nécessite un voltage important. Mais au global les avantages compensent largement les inconvénients, et on peut s’attendreà voir la mémoire PCM débarquer vers mi-2008 environ. [Uberreview]

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