La mémoire Flash va en prendre pour 100 ans

Des scientifiques japonais ont trouvé une technique pour améliorer la durée de vie des supports de mémoire Flash, la faisant passer d'une dizaine à une centaine d'années. Cette nouvelle technologie NAND Flash ferro-électrique permet des réécritures de 100 millions de fois, contre 10'000 environ avec les technologies actuelles, tout en réduisant les distances à 10 nanomètres, le tiers de la mémoire Flash conventionnelle. La nouvelle technologie s'accompagne de "wear leveling" afin de préserver la durée de vie des cellules Flash, tout en permettant de désactiver les cellules mortes sans affecter le module mémoire.

De plus, un voltage de 6 volts seulement contre les 20+ volts actuels est nécessaire pour les opérations d’écriture. La technologie nous promet donc de futurs SSD à longue durée de vie et à basse consommation. Evidemment, comme avec toute avancée, il faudra un moment avant que des produits commerciaux employant cette technologie voient le jour. [VNUNetThe INQUIRER en français]

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