Une nouvelle mémoire cell NAND flash haute endurance pour les SSD a été développée grâce à une collaboration entre Samsung Electronics et Sun Microsystems. L’appareil est censé offrir une plus grande endurance que ceux du marché, offrant une amélioration cinq fois supérieure en écriture et effacement de données. En le comparant aux disques durs traditionnels, les transferts de données par watt sont augmentés par 100, réduisant les cas de surchauffe. Bien entendu, ce sont des chiffres de marketing, il reste à voir comment seront les performances dans le monde réel.
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