Mémoire flash organique

Les gars de l’Université de Tokyo ont réussi à développer la « mémoire flash organique, » une mémoire non-volatile qui inclut une structure basique similaire à la mémoire flash classique. Les voltages pour l’effacement et la lecture de la nouvelle mémoire flash peuvent descendre respectivement à 6V et 1V. A part ça, les données peuvent être écrites et effacées de la mémoire plus de 1000 fois sans aucun problème. Ce niveau de souplesse sans précédent permet à la mémoire d’être utilisée pour des capteurs à large zone, le papier électronique et d’autres appareils électroniques à large zone, en supposant que sa mémoire de rétention puisse être extensible.