Des mémoires flash Intel et Micron au 1/50ème de micron

IMFT+34nm-25nm-20nm+comparison

Intel et Micron, qui ont constitué une JV pour la fabrication de mémoires, vont passer à la technologie 20nm pour la fabrication de mémoires flash en portes NAND. Cela concerne les mémoires flash embarquées dans les baladeurs mp3, les APN, les tablettes ainsi que les SSD.

De 34nm, Intel et Micron sont passés à 25nm et puis désormais à 20nm. Les 1ères puces qui seront gravées dans cette technologie seront des 8Go. La surface est donc réduite de 20%. L’intérêt pour Intel et Micron est de pouvoir produire plus de puces sur un même wafer (une galette de Silicium) et donc de diminuer le coût de fabrication de ses mémoires. On peut donc espérer que cela finira par se répercuter sur les prix.
Intel et Micron vont également produire des 16Go dans le courant de l’année. Est également prévu un SSD 128Go dans cette technologie. Il devrait être plus petit qu’un timbre poste.

[intel]

Tags :
Dernières Questions sur UberGizmo Help
  1. Et comme d’habitude, tout le monde se garde bien de nous dire que plus la gravure est petite et plus vite, les cellules se détériorent en écriture.

  2. Je ne pense pas que ce soit un mal, plus c’est petit moins sa chauffe et consomme.
    Donc si ce que tu dis est vrai  » Odin « , cela revient exactement au même!

Laisser un commentaire

Votre adresse de messagerie ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont indiqués avec *

Publicité