Samsung dévoile la première RAM DDR3 gravée en 30nm

RAM_DDR3_30nm

Samsung propose désormais de la RAM de type DDR3 gravée en 30nm. Faible consommation électrique et bande passante élevée sont les maîtres mots.

A comparer à la même RAM gravée en 60nm, c’est une consommation moindre de 66% qui est permise avec cette nouvelle RAM. Elle est déclinée en barrettes 2Go et 4Go, et présente une bande passante de 1600Mb/s.
L’intérêt d’une telle RAM faible consommation est indéniable pour les laptops et autres netbooks.
Elles seront disponibles dès cet été aux Etats-Unis et seront vendues entre 30$ et 55$. C’est la gravure en 30nm qui permet de proposer de tels prix puisque sur un seul wafer de silicium, Samsung dispose de plus de mémoires ; le rendement est donc meilleur qu’avec une technologie plus ancienne telle que la 60nm.

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Dernières Questions sur UberGizmo Help
  1. En même temps mettre en place un process 32nm c’est une ruine. Ils peuvent le vendre pas cher car Samung est un des derniers rares fabriquants à posséder sa propre fonderie haute technologie. Ils ont donc intérêt à la faire tourner à fond, et ils savent qu’à ce prix là ils vont en vendre des tonnes, et donc baisser les cout du wafer.

    1. « un des derniers à avoir des fonderies state of the art » ?????
      et TSMC, Intel, STMicroelectronics en France, t’en fais quoi ; et cette liste n’est pas exhaustive

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