La ReRAM pour remplacer la Flash

ReRAM

ReRAMLorsqu’il est question de mémoire physique d’ordinateur, les oxydes de métaux s’imposent en maître. L’oxyde de silicium est à la base de la mémoire Flash, utilisée dans nos clefs USB par exemple. Mais la “Resistive RAM” (“mémoire à accès séquentiel non résistive”) pourrait allègrement la surpasser.

Découverte par inadvertance par des chercheurs de l’Université de Londres (UCL), la ReRAM est, ce qui n’est pas une nouveauté, entièrement constituée d’oxyde de silicium. Mais celle-ci pourrait s’imposer sur le marché pour de nombreuses raisons. Elle fonctionne à température ambiante, requière mille fois moins d’énergie et n’a pas besoin de vide pour fonctionner, ce qui la rend moins coûteuse à produire. Comme si cela ne suffisait pas, elle est cent fois plus rapide que la mémoire Flash standard.

Les possibilités d’utilisation de cette ReRAM sont diverses. L’équipe de UCL est parvenue à reproduire le fonctionnement d’un neurone humain, chaque composant ajustant sa résistance selon la dernière tension appliquée. En électronique, un tel composant est appelé “memristor”. Le fait que l’on puisse en produire en silicium garantirait une intégration parfaite dans les puces. Mais ils envisagent aussi d’utiliser leur ReRAM directement comme processeur. De quoi nous faire rêver pendant encore quelques années…

[physorg]

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Dernières Questions sur UberGizmo Help
  1. « Le silicium est un semi-conducteur, sa conductivité électrique est très inférieure à celle des métaux. »

    Wikipedia, « Silicium ».

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