Qualcomm officialise son Snapdragon 835, en 10 nm

Qualcomm Snapdragon 835

La technologie progresse année après année, dans tous les domaines. Qualcomm fait évoluer ses puces pour appareils mobiles et aujourd'hui, l'entreprise américaine dévoilait nombre de détails de son nouveau SoC haut de gamme, le Snapdragon 835, lequel sera fabriqué par Samsung Semiconductor grâce au procédé FinFET en 10 nm.

FinFET est une technologie de transistor permettant une limitation du courant de fuite d’électrons, d’où une meilleure gestion de la consommation énergétique de l’ensemble, ce qui est une priorité pour Qualcomm puisque ses puces sont utilisées le plus souvent dans des appareils mobiles. En 10 nm, il s’agit du procédé le plus avancé de l’industrie. Même les PC n’ont pas encore franchi le pas – Intel devrait s’y lancer en 2017 -.

Grâce à ses 10 nm, le gain en terme de performances pourrait être de l’ordre de 30% et de 40% concernant la consommation d’énergie, si l’on en croit le communiqué de presse Qualcomm-Samsung.

Les deux géants ont annoncé que ce Snapdragon 835 entrait désormais en production. Les premiers appareils équipés devraient arriver sur le marché au premier semestre 2017. Les premières annonces pourraient donc tout à fait être faites durant les CES 2017 et MWC 2017 pour des commercialisations en Mars ou Avril, le plus vraisemblablement.

Le Snapdragon 835 deviendra en tout cas le SoC le plus haut de gamme de Qualcomm, détrônant ainsi les Snapdragon 821 et 820, qui ont encore de beaux jours devant eux puisque présents dans environ 200 modèles de smartphones…

Tags :Via :Ubergizmo
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